К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходах
author
statement of authorship
Г. Т. Вахер, Э. Э. Велмре
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 89-96
conference name, date
Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов
conference location
Таллин
notes
Библиогр.: 11 назв
TalTech department
language
vene
Вахер, Г., Велмре, Э. К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходах // Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 1. Таллин : ЭстНИИНТИ, 1978. с. 89-96.