Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InP
statement of authorship
Велмре, Э. Э., Нурсте, И. О., Фрейдин, Б. П.
location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 30-31
conference name, date
Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования, посвященная Дню радио, ноябрь 1980
conference location
Таллин
subject term
TTÜ department
language
vene
Велмре, Э., Нурсте, И., Фрейдин, Б. Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InP // Тезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы. Таллин : [Эстонское республиканское правление научно-технического общества радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова], 1981. с. 30-31. https://www.ester.ee/record=b1310801*est