Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSb
statement of authorship
А. А. Гаврилов, Ю. В. Данилов, Г. А. Качурин, А. Л. Мере
journal volume number month
2 (137)
year of publication
pages
с. 108-112
notes
Библиогр. 6 назв.
language
vene
TalTech department
Гаврилов, А., Данилов, Ю., Качурин, Г., Мере, А. Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSb // Электронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник (1980) 2 (137), с. 108-112.