Особенности легирования фоторезисторов из селенида кадмия медью и серебром

statement of authorship
В.Э. Валдна, Я.Э. Мядассон, Л.И. Тюрн
location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 32-39 : ил
ISSN
0136-3549
0136-3581
notes
Библиогр. : 4 назв
Abstract: What puts the doping of photoconductors of cadmium-selenide with copper and silver in class by itself
scientific publication
teaduspublikatsioon
language
vene
Валдна, В.Э., Мядассон, Я.Э., Тюрн, Л.И. Особенности легирования фоторезисторов из селенида кадмия медью и серебром // Физическая химия соединений АIIВVI. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1987. с. 32-39 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 652, Полупроводниковые материалы ; 8). https://www.ester.ee/record=b1272914*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/ab692870-76d1-4444-9c52-997bec55bd62