К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индия
author
Gavrilov, Aleksei
Danilov, J.V.
Katšurin, G.A.
Mere, Arvo
statement of authorship
А.А. Гаврилов, Ю.В. Данилов, Г.А. Качурин, А.Л. Мере
source
Физическая химия соединений AIIBVI
location of publication
Таллин
publisher
Таллинский политехнический институт
year of publication
1981
pages
с. 105-112 : илл
series
Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 515
Полупроводниковые материалы ; 4
series variant title
TPI Toimetised ; 515
Труды ТПИ ; 515
url
https://www.ester.ee/record=b1533413*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/dceb76ed-f60b-4ce9-b87e-618a41d25bb8
subject term
pooljuhtmaterjalid
fotoelektrilised omadused
valgustundlikkus
indium
antimoniidid
TalTech subject term
Tallinna Tehnikaülikooli toimetised
ISSN
0136-3549
0320-3395
notes
Библиогр. : 11 назв
Summary: The choice of the construction of the photosensitive p-n junctions on InSb
scientific publication
teaduspublikatsioon
classifier
3.2
TalTech department
füüsika kateeder
language
vene