Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации
author
Krunks, Malle
Mellikov, Enn
Seilenthal, Mats
statement of authorship
М.И. Крункс, Э.Я. Мелликов, М.И. Сейлентхал
source
Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов
location of publication
Таллин
publisher
Таллинский политехнический институт
year of publication
1986
pages
с. 49-55 : ил
series
Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 620
Полупроводниковые материалы ; 7
series variant title
TPI Toimetised ; 620
Труды ТПИ ; 620
url
https://www.ester.ee/record=b1296001*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/65e24755-71eb-4a99-b9fe-e1308121ed89
subject term
kaadmiumsulfiid
õhukesed kiled
pihustamine
Schottky barjäär
TalTech subject term
Tallinna Tehnikaülikooli toimetised
ISSN
0136-3549
0320-3395
notes
Библиогр. : 6 назв
Abstract: Electrophysical properties of cadmium sulphide thin film Schottky barriers manufactured by chemical spray deposition
scientific publication
teaduspublikatsioon
classifier
3.2
TalTech department
füüsika kateeder
language
vene