Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
author
Korolkov, Oleg
Kozlovski, Vitali
Lebedev, Alexander
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
statement of authorship
Корольков O.M., Козловский В.B., Лебедев A.A., Слепчук Н., Toompuu J., Rang T.
source
Физика и техника полупроводников
journal volume number month
вып. 7
year of publication
2019
pages
с. 991-994
url
https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089
subject term
ränikarbiid
kiirgus
keyword
карбид кремния
облучение электронами
радиационные дефекты
отжиг
ISSN
0015-3222
notes
Bibliogr.: 17 ref
TalTech department
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
language
vene