Chemical incorporation of copper into indium selenide thin filmsHibberd, C.J.; Ernits, Kaia; Kaelin, M.; Tiwari, A.N.4th Photovoltaic Science, Applications and Technology Conference C89 : University of Bath, United Kingdom, 2-4 April, 20082008 / p. 052

Chemical incorporation of copper into indium selenide thin-films for processing of CuInSe2 solar cellsHibberd, C.J.; Ernits, Kaia; Kaelin, M.; Mueller, U.; Tiwari, A.N.Progress in photovoltaics : research and applications2008 / 7, p. 585-593 : ill

Deposition of copper indium disulphide films by chemical spray pyrolysisKijatkina, Olga2004 https://www.ester.ee/record=b1926863*est

Development and study of ZnO: In optical scintillation ceramicGorokhova, Elena; Eroniko, S.B.; Kulkov, A.M.; Oreshchenko, E.A.; Simonova, K.L.; Chernenko, K.A.; Venevtsev, I.D.; Rodnyi, P.A.; Lott, Kalju; Wieczorek, H.Journal of optical technology2015 / p. 837-842 : ill https://doi.org/10.1364/JOT.82.000837 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Journal metrics at WOS Article at WOS

Economic pulse electrodeposition for flexible CuInSe(2)solar cellsMandati, Sreekanth; Misra, Prashant; Boosagulla, Divya; Rao, Tata Naransinga; Sarada, Bulusu V.Materials for renewable and sustainable energy2020 / art. 19, 6 p. : ill https://doi.org/10.1007/s40243-020-00177-3

High temperature electrical conductivity in Ga and In solubility limit region in ZnSLott, Kalju; Raukas, Maie; Volobujeva, Olga; Vishnjakov, A.; Grebennik, A.International journal of inorganic materials2001 / 8, p. 1345-1347 : ill

Indium-free CIGS analogues : general discussionAndreasen, Jens Wenzel; Bowers, Jake W.; Breternitz, Joachim; Dale, Phillip J.; Dimitrievska, Mirjana; Fermin, David J.; Ganose, Alex; Gurieva, Galina; Hages, Charles J.; Mandati, SreekanthFaraday Discussions2022 / p. 85-111 https://doi.org/10.1039/D2FD90055F

A photoluminescence study of CuInSe2 single crystals ion implanted with 5 keV hydrogenYakushev, Michael Vasilievich; Krustok, Jüri; Grossberg-Kuusk, Maarja; Volkov, Vladimir A.; Mudryi, Alexander V.; Martin, Robert W.Journal of Physics D: Applied Physics2016 / art. 105108 https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/10/105108 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Journal metrics at WOS Article at WOS

Zinc oxide thin films by the spray pyrolysis methodKrunks, Malle; Mellikov, EnnThin solid films1995 / p. 33-36: ill

Высокотемпературное равновесие дефектов в ZnSe : InNõges, Märt; Varvas, Jüri; Nirk, Tiit; Kallavus, UrveФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 67-76 : илл https://www.ester.ee/record=b1533413*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/dceb76ed-f60b-4ce9-b87e-618a41d25bb8

Высокотемпературное равновесие дефектов селенида цинка, легированного индием  и медьюKallavus, Urve; Nõges, Märt; Rändur, ÕieI республиканская конференция молодых ученых-химиков, 20-22 мая 1975 года : тезисы докладов1975 / с. 196 https://www.ester.ee/record=b1309964*est

Высокотемпературное равновесие собственных и примесных (Cu, In) дефектов в монокристаллахÖpik, Andres; Nirk, Tiit; Varvas, JüriПолучение и свойства полупроводниковых соединений типа А II В VI и А IV В VI и твердых растворов на их основе : Тезисы докладов первой всесоюзной научно-технической конференции, МИСиС 1-4 февр.1977 / с. 129

Исследование высокотемпературной проводимости монокристаллов CdSe, легированных индиемÖpik, Andres; Varvas, JüriФизика, химия и технические применения полупроводников A2B6 : тезисы докладов IV всесоюзного совещания (Одесса, 16-19 ноября 1976 г.)1976 / с. 199 https://www.ester.ee/record=b2969209*est

Исследование дефектной структуры монокристаллов Cd Se, легированных индиемÖpik, AndresIII республиканская конференция молодых ученых-химиков, 15-17 мая 1979 года : тезисы докладов1979 / с. 7 https://www.ester.ee/record=b1280470*est

Исследование легирования сульфида цинка медью, алюминием, галлием и индиемLott, Kalju; Varvas, JüriСвойства легированных полупроводников1977 / с. 98-99 : ill https://www.ester.ee/record=b2708631*est

Исследование легирования сульфида цинка медью, алюминием, галлием и индиемLott, Kalju; Varvas, JüriВсесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов : тезисы докладов1975 / с. 108-109

К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индияGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 105-112 : илл https://www.ester.ee/record=b1533413*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/dceb76ed-f60b-4ce9-b87e-618a41d25bb8

Растворимость индия в сульфиде цинкаLott, Kalju; Višnjakov, A.V.; Raukas, MaieФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 29-33

Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSbGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1980 / с. 108-112 https://www.ester.ee/record=b2160501*est