Времена жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках с учетом Оже-процессов на локализованных состоянияхOpotski, AlekseiМашинное проектирование электронных устройств и систем1988 / с. 134-148 : ил https://www.ester.ee/record=b1256708*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/2e6337b1-2222-4e66-98fb-89178f835390

К вопросу об Оже-рекомбинации в полупроводникахOpotski, AlekseiИзмерение и моделирование в электронике1987 / с. 101-113 : ил https://www.ester.ee/record=b1224910*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/ee2075ea-4ea9-4fc7-b62c-775a5e40bfe9

Численное моделирование процессов в полупроводниковых структурах с учетом рекомбинации через многозарядные центрыVelmre, Enn; Opotski, Aleksei; Udal, AndresЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов РЭА : тезисы докладов. Том 11987 / с. 131-134 : ил https://www.ester.ee/record=b1273986*est