• Влияние адсорбционных процессов на электрофизические свойства поверхностных слоев диэлектрических материаловVeimer, Vladimir; Roninson, AleksanderЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 57-67 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Влияние влажности на поверхностную и объемную проводимость некоторых диэлектриковBender, Villem; Roninson, Aleksander; Silas, AarneЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 79-88 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Влияние механических напряжений на поверхностную и объемную проводимости некоторых диэлектриковBender, Villem; Veimer, Vladimir; Mere, Arvo; Roninson, Aleksander; Silas, AarneЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 65-72
• Влияние отжига на свойства порошков Cds : Cu : ClTuvike, Tiit; Palmre, Õie; Vallaste, Heikki; Päid, Imbi; Kuusmets, Eela; Petrov, P.I.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 37-45
• Влияние статических и динамических деформаций на электроизоляционные свойства резинBender, Villem; Veimer, Vladimir; Mere, ArvoЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 100-108
• Гетероструктура CdS/TiO2 как фотоанод электрохимической ячейкиErm, AntsЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 66-83
• Изменение интенсивности рентгенолюминесценции в процессе окрашивания содалитовRuus, TõnuЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 31-37
• Изменение параметров интегральных схем при анализе в растровом электронном микроскопеMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 85-92 https://www.ester.ee/record=b1296001*est
• Измерение СВЧ фотопроводимости в материалах с высокой проводимостьюVallaste, Heikki; Mellikov, Enn; Tuvike, Tiit; Palmre, ÕieЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 57-63
• Импульсно-плазменное легирование кремния сурьмойGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 15-28 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Импульсно-плазменный отжиг слоев кремния, имплантированных боромGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 3-13 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Индикатор качества противокоррозионной защитыVeimer, Vladimir; Kurik, Lembit; Sinivee, VeljoЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 109-115
• Ионные процессы в каркасных алюмосиликатахDenks, Viktor; Mere, Arvo; Ruus, TõnuЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 35-51 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Исследование миграции примеси меди в монокристаллах сульфида кадмияAarna, Heiti; Reiter, ErikЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 43-48
• Исследование углов смачивания некоторых диэлектрических материаловVeimer, Vladimir; Bender, Villem; Kurik, Lembit; Udris, V.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 69-78 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Источник стабилизированного тока для многократного анодного окисления полупроводниковGavrilov, Aleksei; Košelap, AndreiЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 94-99
• Концентрационное уширение полос краевого излучения сульфида кадмияKrustok, Jüri; Piibe, ToomasЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 22-28
• Межфазное взаимодействие и ориентационные соотношения в системе никкель - арсенид галлияMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 3-12
• Металлографическое исследование арсенида галлия с помощью электрохимического травленияMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 13-21
• Определение концентрационного профиля с помощью двух выпрямляющих контактовMankin, Romi; Paat, AaduЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 29-33 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Перераспределение вещества в поле внешних силAarna, Heiti; Mankin, Romi; Reiter, ErikЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 39-41
• Применение в ТПИ растворного электронного микроскопа в материаловеденииPaat, AaduЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 79-84
• Природа красной полосы люминесценции в CdS : Ag : ClKrustok, Jüri; Mädasson, Jaan; Altosaar, MareЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 23-30
• Процессы дефектообразования в примесном сульфиде кадмияMädasson, Jaan; Altosaar, Mare; Tomson, A.; Kukk, Peeter-EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 57-65
• Рекристаллизация порошков AIIBVIMellikov, EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 46-56
• Установка для измерения диэлектрических потерь порошковых материалов в широком интервале температур (80-600 К) и в условиях высокого вакуумаMere, ArvoЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 53-56 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Установка для многократного анодного окисления полупроводниковGavrilov, AlekseiЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 73-78
• Физико-химический анализ несовершенных полупроводниковых кристалловKukk, Peeter-EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 3-22
• Фотолюминесценция химически пульверизованных пленокErm, Ants; Krunks, Malle; Mellikov, EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 85-93
• Центры рекомбинации в легированном серебром и хлором сульфиде кадмияKrustok, Jüri; Mädasson, Jaan; Altosaar, Mare; Tomson, A.; Kukk, Peeter-EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 29-36
• Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизацииKrunks, Malle; Mellikov, Enn; Seilenthal, MatsЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 49-55