• Импульсно-плазменное легирование кремния сурьмойGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 15-28 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Импульсно-плазменный отжиг слоев кремния, имплантированных боромGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 3-13 : ил https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e
• Испульсное легирование кремния в сильноточном газовом разрядеGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Письма в Журнал технической физики1982 / с. 388-391 https://www.ester.ee/record=b2142356*est
• К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индияGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 105-112 : илл https://www.ester.ee/record=b1533413*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/dceb76ed-f60b-4ce9-b87e-618a41d25bb8
• Отжиг имплантированных слоев кремния в плазме импульсного газового разрядаGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors1981 / с.1232-1234 https://www.ester.ee/record=b1263919*est
• Сверхрезкие варикапы на эпитаксиальных пленках арсенида галлия, полученные с помощью ионного внедренияGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1977 / с. 99-103 https://www.ester.ee/record=b2160501*est
• Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSbGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1980 / с. 108-112 https://www.ester.ee/record=b2160501*est