• Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структурAškinazi, G.; Zolotarevskaja, O.; Meiler, BorissПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1978 / с. 64-66 : илл https://www.ester.ee/record=b1262177*est