• Analysis of deep level centers in GaAs pin-diode structuresKorolkov, Oleg; Toompuu, Jana; Rang, ToomasElektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering2013 / [4 p. ] : ill https://doi.org/10.5755/j01.eee.19.10.5903 https://www.scopus.com/sourceid/19900193212 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-84890763964&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&sot=b&sdt=b&s=DOI%2810.5755%2Fj01.eee.19.10.5903%29&sessionSearchId=426c7384f2dd8d6106bcca8e9e61ed2b https://jcr.clarivate.com/jcr-jp/journal-profile?journal=ELEKTRON%20ELEKTROTECH&year=2013 https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000330689000022
• Characterization of deep level traps in semiconductor structures using numerical experimentsKoel, Ants; Rang, Toomas; Rang, GalinaMaterials characterization VII2015 / p. 253-261 : ill
• Characterization of the temperature dependent behavior of snappy phenomenon by the switching-off of GaAs power diode structuresKoel, Ants; Rang, Toomas; Rang, GalinaHeat transfer XIII : simulation and experiments in heat and mass transfer2014 / p. 439-449 : ill https://doi.org/10.2495/HT140381 https://www.scopus.com/sourceid/6000195382 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-84907666145&origin=inward&txGid=2bfd390a324c83367d6459714de56379
• Development and optimisation of modelling methods and algorithms for terahertz range radiation sources based on quantum well heterostructures = Kvantaukudega heterostruktuuridel põhinevate terahertskiirgurite modelleerimismeetodite ja -algoritmide arendus ja optimeerimineReeder, Reeno2014 https://www.ester.ee/record=b3084247*est
• Efficiency estimation for a broadband 7 THz radiation source with GaAs/AlGaAs parabolic quantum wellsReeder, Reeno; Ikonic, Zoran; Harrison, Paul; Udal, Andres; Velmre, EnnThe proceedings of the Ninth International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells : Ambleside, Cumbria, U.K., 9-14th September 20072007 / p. P67-2 https://www.academia.edu/63544688/Efficiency_Estimation_for_a_Broadband_7_THz_Radiation_Source_with_GaAs_AlGaAs_Parabolic_Quantum_Wells
• GaAs based diffusion welded high voltage diode stacks [Electronic resource]Toompuu, Jana; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Voitovitš, Viktor; Rang, ToomasIEEE International Conference on Semiconductor Electronics CD-ROM Proceedings2010 / [4] p https://ieeexplore.ieee.org/document/5549505
• Investigation of deep level centers in i- and n-layers of GaAs pin-diodesToompuu, Jana; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Rang, ToomasBEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia2014 / p. 25-28 : ill
• Low voltage 2-GHz GaAs transmitter circuit modulesKalajo, Sami; Kiraly, J.; Porra, VeikkoBEC'96 : the 5th Biennial Baltic Electronics Conference, October 7-11, 1996, Tallinn, Estonia : proceedings1996 / p. 167-170: ill
• Method of samples preparation intended for research of deep centers in i-, n-, and p-layers of GaAs p⁺-pin-n⁺ structures and result of analysisToompuu, Jana; Sleptšuk, Natalja; Korolkov, Oleg; Rang, ToomasBEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia2016 / p. 35-38 : ill http://www.ester.ee/record=b2150914*est
• Spectral properties of incoherent terahertz torch based on parabolic Ga(As,Bi)/AlGaAs quantum wellsKaraliunas, Mindaugas; Pagalys, Justas; Jakštas, Vytautas; Norkus, Ričardas; Urbanowicz, Andrzej; Devenson, Jan; Devenson, Renata; Udal, Andres; Valušis, GintarasTerahertz Emitters, Receivers, and Applications X : SPIE Optical Engineering + Applacations, 11-15 August 2019, San Diego, California, United States : proceedings SPIE digital library2019 https://doi.org/10.1117/12.2528428 https://www.scopus.com/sourceid/40067 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85075088352&origin=inward&txGid=55ea6b06428cb4ed69d6beb4ee91525e https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000535227800004
• Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структурAškinazi, G.; Zolotarevskaja, O.; Meiler, BorissПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1978 / с. 64-66 : илл https://www.ester.ee/record=b1262177*est
• Влияние распределения примеси на прямую ВАХ арсенидгаллиевых силовых диодных структурVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 32-37 https://www.ester.ee/record=b1356516*est
• Коэффициенное ударное ионизацеи носителей заряда в <100> арсениде галлияRang, Toomas; Puusepp, MärtЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1987 / с. 98-100 https://www.ester.ee/record=b2160501*est
• Межфазное взаимодействие и ориентационные соотношения в системе никкель - арсенид галлияMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 3-12
• Межфазное взаимодействие на контакте Ni-Si и Ni-GaAsMeiler, BorissПоверхность : физика, химия, механика1985 / с. 62-67 : илл https://www.ester.ee/record=b2149829*est
• Неизотермическая динамическая прямая ветвь вольт-амперной характеристики силовых арсенид-галлиевых диодовAškinazi, German; Velmre, Enn; Logussov, A.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Eesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics1984 / с. 48-56 https://www.ester.ee/record=b1264310*est
• Рост и морфология толстых слоев арсенида галлия, выращенных жидкофазной эпитаксиейMeiler, Boriss; Zolotarevski, L.; Paat, Aadu; Orenštein, I.Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 24-26 https://www.ester.ee/record=b1262177*est
• Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InPVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 30-31 https://www.ester.ee/record=b1310801*est
• Формирование морфологии и структуры толстых автоэпитакисальных слоев арсенида галлия при росте из раствора-расплаваZolotarevski, L.; Meiler, Boriss; Orenštein, I.; Paat, AaduТехнология быстродействующих силовых полупроводниковых приборов : сборник статей1989 / с. 192-197 : илл https://www.ester.ee/record=b1267766*est
• Численное моделирование неизотермических переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1984 / с. 86-88 https://www.ester.ee/record=b2768571*est
• Численное моделирование переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1983 / с. 93-95 https://www.ester.ee/record=b2768571*est
• Численный анализ неизотермических переходных процессов в арсенидгаллиевых диодных структурахAškinazi, German; Velmre, Enn; Kivi, U.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Полупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 15 https://www.ester.ee/record=b1304403*est