Investigation of P-i-n GaAs structures by DLTS method : the deep level transient spectroscopy in application to GaAs p-i-n structures for identification of deep levels
autor
Toompuu, Jana
vastutusandmed
Jana Toompuu
ilmumiskoht
Saarbrücken
kirjastus/väljaandja
Lambert Academic Publishing
ilmumisaasta
2010
leheküljed
148 p
leitav
https://www.amazon.com/Investigation-p-i-n-GaAs-structures-method/dp/383839223X
märksõna
Schottky barjäär
dioodid
struktuur
defektid
spektroskoopia
ISBN
978-3-8383-9223-3
keel
inglise