Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate
autor
Abashkina, S.
Rimshans, J.
Korolkov, V.I.
Tabarov, T.
vastutusandmed
Abashkina S., Rimshans J. and Korolkov V., Tabarov T
allikas
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : Tallinn, Estonia, October 7-11, 1991. Section S, Simulation = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents / Tallinna Tehnikaülikool
ilmumiskoht
Tallinn
kirjastus/väljaandja
Tallinna Tehnikaülikool
ilmumisaasta
1992
leheküljed
p. 83-88: ill
konverentsi nimetus, aeg
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : October 7-11, 1991 = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents
konverentsi toimumispaik
Tallinn
leitav
https://www.ester.ee/record=b1064031*est
märksõna
transistorid
siirdeprotsessid
mahtuvus (elektrotehnika)
elektritakistus
arvutusmeetodid
märkused
Bibl.: 3 ref
Kokkuvõte: Vertikaalse foto-väljatransistori siirdekarakteristikute numbriline modelleerimine koos tüürahela takistuse arvestamisega
keel
inglise