Nano- and Micro-Scale simulations of Ge/3C-SiC and Ge/4H-SiC NN-heterojunction diodes
autor
Rashid, Muhammad Haroon
Koel, Ants
Rang, Toomas
vastutusandmed
Muhammad Haroon Rashid, Ants Koel, Toomas Rang
allikas
Silicon Carbide and Related Materials 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Kyoto, Japan, September 29 - October 4, 2019
Materials science forum
ilmumiskoht
Zürich
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2020
leheküljed
p. 490-496
seeria-sari
Materials science forum ; 1004
konverentsi nimetus, aeg
18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), September 29 - October 4, 2019
konverentsi toimumispaik
Kyoto, Japan
leitav
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.490
märksõna
germaanium
ränikarbiid
keevitus
karbiidid
Scopus
https://www.scopus.com/sourceid/28700
https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85089810011&origin=inward&txGid=62ac56cc823cce52f96865de6b58557f
kvartiil
Q3
kategooria (üld)
Engineering
Tehnika
Materials science
Materjaliteadus
Physics and astronomy
Füüsika ja astronoomia
kategooria (alam)
Engineering. Mechanical engineering
Tehnika. Masinaehitus
Materials science. General materials science
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
Engineering. Mechanics of materials
Tehnika. Materjalide mehaanika
Physics and astronomy. Condensed matter physics
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
võtmesõna
3C-SiC
4H-SiC
diffusion bonding
germanium
heterostructures
silicon carbide (SiC)
ISSN
1662-9752
märkused
Bibliogr.: 16 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor