Nano- and Micro-Scale simulations of Ge/3C-SiC and Ge/4H-SiC NN-heterojunction diodes
autor
Rashid, Muhammad Haroon
Koel, Ants
Rang, Toomas
vastutusandmed
Muhammad Haroon Rashid, Ants Koel, Toomas Rang
allikas
Silicon Carbide and Related Materials 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Kyoto, Japan, September 29 - October 4, 2019
ilmumiskoht
Zürich
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2020
leheküljed
p. 490-496
seeria-sari
Materials science forum ; 1004
konverentsi nimetus, aeg
18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), September 29 - October 4, 2019
konverentsi toimumispaik
Kyoto, Japan
leitav
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.490
märksõna
germaanium
ränikarbiid
keevitus
karbiidid
Scopus
Conference proceedings at Scopus
Article at Scopus
kvartiil
Q3
kategooria (üld)
Engineering
en
Tehnika
et
Materials science
en
Materjaliteadus
et
Physics and astronomy
en
Füüsika ja astronoomia
et
kategooria (alam)
Engineering. Mechanical engineering
en
Tehnika. Masinaehitus
et
Materials science. General materials science
en
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
et
Engineering. Mechanics of materials
en
Tehnika. Materjalide mehaanika
et
Physics and astronomy. Condensed matter physics
en
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
et
võtmesõna
3C-SiC
4H-SiC
diffusion bonding
germanium
heterostructures
silicon carbide (SiC)
ISSN
1662-9752
märkused
Bibliogr.: 16 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor