täiskirje prindi

Simulations of wide bandgap SiC N-N heterostructure diode

autor
vastutusandmed
Udayan S Patankar, Ants Koel, Tamás Pardy
allikas
2020 IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE), Las Vegas, NV, USA, January 4-6, 2020
ilmumiskoht
Danvers
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
4 p
konverentsi nimetus, aeg
2020 IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE), 4-6 Jan. 2020
konverentsi toimumispaik
Las Vegas, NV, USA
leitav
ISSN
2158-4001
ISBN
978-7281-5186
märkused
Bibliogr.: 24 ref
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
märksõna
võtmesõna
carrier mobility
III-V semiconductors
semiconductor diodes
semiconductor heterojunctions
silicon compounds
technology CAD (electronics)
wide band gap semiconductors
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor
Patankar, U.S., Koel, A., Pardy, T. Simulations of wide bandgap SiC N-N heterostructure diode // 2020 IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE), Las Vegas, NV, USA, January 4-6, 2020. Danvers : IEEE, 2020. 4 p. https://doi.org/10.1109/ICCE46568.2020.9043130