A DLTS study of 4H-SiC-based p-n junctions fabricated by boron implantation
autor
Ivanov, Pavel
Potapov, Alexander
Samsonova, Tatyana
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
vastutusandmed
P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, O. Korol’kov, and N. Sleptsuk
allikas
Semiconductors
ajakirja aastakäik number kuu
Vol. 45, 10
ilmumisaasta
2011
leheküljed
p. 1306-1310 : ill
leitav
https://doi.org/10.1134/S1063782611100101
märksõna
räniühendid
siirdeprotsessid
boor
pooljuhid
ISSN
1063-7826
märkused
Bibliogr.: 13 ref
keel
inglise