Complex simulation of punchthrough, tunneling and high-speed characteristics of scaled bipolar devices and circuits
autor
Bubennikov, Alexander N.
Ishevsky, D.V.
vastutusandmed
A.N.Bubennikov, D.V.Ishevsky
allikas
Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University
ilmumiskoht
Tallinn
ilmumisaasta
1992
leheküljed
p. 26-31: ill
märksõna
transistorid
skaleerimine
simulaatorid
simulatsioon
märkused
Bibl. 6 ref
retsensioon
Kokkuvõte: Skaleeritud bipolaarseadiste ja -lülituste läbitorke, tunnel- ja kiiretoimelisuse karakteristikute kompleksne simuleerimine
keel
inglise