High voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodes
autor
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
Annus, Paul
Land, Raul
Rang, Toomas
vastutusandmed
Oleg Korolkov, Natalja Sleptsuk, Paul Annus, Raul Land, Toomas Rang
allikas
ICSRM 2015 : program guide
ilmumiskoht
[S.l.]
kirjastus/väljaandja
Consiglio Nazionale delle Ricerche
ilmumisaasta
2015
leheküljed
p. 73
konverentsi nimetus, aeg
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015
konverentsi toimumispaik
Giardini Naxos, Italy
märksõna
pooljuhtdioodid
ränikarbiid
keevisliited
Schottky barjäär
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise