Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии
autor
vastutusandmed
Т. Ранг, Э. Велмре
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 115-120 : илл
seeria-sari
seeria variantpealkiri
leitav
märksõna
TTÜ märksõna
märkused
Библиогр. : 12 назв
Summary: Electron and hole mobility in silicon related to the doping concentration and temperature
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
Ранг, Т., Велмре, Э. Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии // Анализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1977. с. 115-120 : илл. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 432, Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей ; 15).