Investigation of barrier inhomogeneities and electronic transport on Al-Foil/p-Type-4H-SiCSchottky barrier Diodes using diffusion welding
autor
Ziko, Mehadi Hasan
Koel, Ants
Rang, Toomas
Rashid, Muhammad Haroon
vastutusandmed
Mehadi Hasan Ziko, Ants Koel, Toomas Rang and Muhammad Haroon Rashid
allikas
Crystals
kirjastus/väljaandja
MDPI
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 10, 636
ilmumisaasta
2020
leheküljed
p. 636-647
konverentsi toimumispaik
Dubrovnik, Croatia
leitav
https://doi.org/10.3390/cryst10080636
märksõna
keevitus
mittehomogeensused
Schottky barjäär
võtmesõna
p-type 4H-SiC
diffusion welding
inhomogeneity
schottky barrier diode
barrier height
ideality factor
ISSN
2073-4352
märkused
Bibliogr.:
Special Issue: Development and Investigation of SiC and SiC-based devices
Open Access
Open Access
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
1.1
Scopus
https://www.scopus.com/sourceid/21100316020
https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85090619124&origin=inward&txGid=e6076fc88d9f36281f74d53495b1c0bd
WOS
https://jcr.clarivate.com/jcr-jp/journal-profile?journal=CRYSTALS&year=2022
https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000567339200001
kategooria (üld)
Physics and astronomy
Füüsika ja astronoomia
Chemical engineering
Keemiatehnoloogia
Chemistry
Keemia
Materials science
Materjaliteadus
kategooria (alam)
Physics and astronomy. Condensed matter physics
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
Chemical engineering. General chemical engineering
Keemiatehnoloogia. Üldine keemiatehnoloogia
Chemistry. Inorganic chemistry
Keemia. Anorgaaniline keemia
Materials science. General materials science
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
kvartiil
Q2
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor