Impurity interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface properties
autor
Kropman, Daniel
Mellikov, Enn
Kärner, T.
Ugaste, Ülo
Laas, Tõnu
Heinmaa, I.
Medvid, A.
vastutusandmed
D.Kropman, E.Mellikov, T.Kärner, Ü.Ugaste, T.Laas, I.Heinmaa, A.Medvid
allikas
Materials science and engineering : B
ajakirja aastakäik number kuu
134
ilmumisaasta
2006
leheküljed
p. 222-226 : ill
leitav
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510706004375
märksõna
punktdefektid
räni
räniühendid
ränidioksiid
struktuur
vesinik
tuumamagnetresonantsspektroskoopia
ISSN
0921-5107
märkused
Bibliogr.: 8 ref
keel
inglise