Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структур
autor
Aškinazi, G.
Zolotarevskaja, O.
Meiler, Boriss
vastutusandmed
Г. Ашкинази, О. Золотаревская, Л. Мазо, А. Падьюс, Б. Мейлер
allikas
Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
Валгус
ilmumisaasta
1978
leheküljed
с. 64-66 : илл
leitav
https://www.ester.ee/record=b1262177*est
märksõna
galliumarseniid
struktuur
defektid
mõjud
TTÜ struktuuriüksus
füüsika kateeder
keel
vene