DLTS measurements on 4H-SiC JBS-diodes with boron implanted local p-n junctions
autor
Ivanov, Pavel
Korolkov, Oleg
Samsonova, Tatyana
Sleptšuk, Natalja
Potapov, Alexander
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
vastutusandmed
Pavel Ivanov, Oleg Korolkov, Tatyana Samsonova, Natalja Sleptsuk, Alexander Potapov, Jana Toompuu, Toomas Rang
allikas
Materials science forum
ajakirja aastakäik number kuu
Vol. 679/680, Silicon Carbide and Related Materials 2010
ilmumisaasta
2011
leheküljed
p. 409-412
konverentsi nimetus, aeg
Silicon Carbide and Related Materials 2010
võtmesõna
deep level
DLTS measurements
JBS diodes
keel
inglise