Numerical analysis of the influence of deep energy level traps in SiC Schottky structures
autor
Koel, Ants
Rang, Toomas
Rang, Galina
vastutusandmed
A. Koel, T. Rang & G. Rang
allikas
High performance structure and materials. VI
ilmumiskoht
Southampton
kirjastus/väljaandja
WIT Press
ilmumisaasta
2012
leheküljed
p. 439-448 : ill
seeria-sari
WIT transactions on the built environment ; 124
märksõna
ränikarbiid
pooljuhtstruktuurid
elektrilised omadused
keevitus
matemaatiline modelleerimine
Schottky barjäär
võtmesõna
silicon carbide
metal semiconductor contacts
diffusion welding
interface layer
deep energy levels
DLTS method
numerical modelling
Schottky diodes
ISSN
1743-3509
ISBN
978-1-84564-596-0
märkused
Bibliogr.: 16 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise