Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур

autor
vastutusandmed
Э.Э. Велмре
ilmumiskoht
Таллин
ilmumisaasta
leheküljed
с. 166-174 : ил
seeria variantpealkiri
TPI Toimetised ; 674
Труды ТПИ ; 674
märkused
Библиогр. : 11 назв
Abstract: Some physical aspects of taking into account the effect of electron-hole scattering in mathematical modelling of semiconductor structures
Kokkuvõte: Füüsikalisi aspekte elektron-aukhajumise arvestamisel pooljuhtstruktuuride matemaatilisel modelleerimisel
keel
vene