Study of radiative recombination influence in GaN and GaAs bipolar transistor structures
autor
Velmre, Enn
Udal, Andres
Verbitski, Irina
vastutusandmed
E.Velmre, A.Udal, I.Verbitski
allikas
BEC 2004 : proceedings of the 9th Biennial Baltic Electronics Conference : October 3-6, 2004, Tallinn, Estonia
ilmumiskoht
Tallinn
kirjastus/väljaandja
Tallinn University of Technology
ilmumisaasta
2004
leheküljed
p. 59-62 : ill
märksõna
bipolaartransistorid
galliumiühendid
nitriidid
rekombinatsioon
ISBN
9985-59-462-2
märkused
Bibliogr.: 21 ref
keel
inglise