prindi

Performance benchmarking of Si and GaN MOSFETs in isolated buck-boost DC-DC converter

autor
Mashinchi Maheri, Hamed
Vinnikov, Dmitri
Rahman, Showrov
vastutusandmed
Hamed Mashinchi Maheri, Dmitri Vinnikov, and Showrov Rahman
allikas
2021 IEEE 62nd International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON), 15-17 Nov. 2021 : conference proceedings
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2021
leheküljed
p. 1-6 : ill
konverentsi nimetus, aeg
2021 IEEE 62nd International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON), 15-17 Nov. 2021
konverentsi toimumispaik
Riga
leitav
https://doi.org/10.1109/RTUCON53541.2021.9711696
märksõna
muundurid
alalispingemuundurid
efektiivsus
elektrotehnika
võrdlevuuringud
võtmesõna
GaN system
impedance-source converters
quasi-Z-source
dc-dc converters
power losses
efficiency
ISBN
78-1-6654-3804-9
märkused
Bibliogr.: 18 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
elektroenergeetika ja mehhatroonika instituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Jõuelektroonika uurimisrühm
Mashinchi Maheri, H., Vinnikov, D., Rahman, S. Performance benchmarking of Si and GaN MOSFETs in isolated buck-boost DC-DC converter // 2021 IEEE 62nd International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON), 15-17 Nov. 2021 : conference proceedings. : IEEE, 2021. p. 1-6 : ill. https://doi.org/10.1109/RTUCON53541.2021.9711696