Experimental evaluation of GaN gate injection transistors
autor
Rabkowski, Jacek
Barlik, Roman
vastutusandmed
Jacek Rabkowski, Roman Barlik
allikas
Przeglad elektrotechniczny = Electrical review
ajakirja aastakäik number kuu
Nr. 3
ilmumisaasta
2015
leheküljed
p. 9-12 : ill
leitav
http://dx.doi.org/10.15199/48.2015.03.03
märksõna
jõuseadised
galliumiühendid
energiakaod
mõõtmine
võtmesõna
Gallium Nitride (GaN)
Gate Injection Transistor (GIT)
power losses
double-pulse test
ISSN
0033-2097
märkused
Bibliogr.: 17 ref
Kokkuvõte poola keeles
TTÜ struktuuriüksus
elektrotehnika instituut
keel
inglise