SiC JBS diode symmetrical voltage doubler represented as the diffusion-welded stack
autor
Korolkov, Oleg
Land, Raul
Toompuu, Jana
Sleptšuk, Natalja
Rang, Toomas
vastutusandmed
Oleg Korolkov, Raul Land, Jana Toompuu, Natalja Sleptsuk, Toomas Rang
allikas
Silicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 International Conference on Silicon Carbide and related materials, September 17-22, 2017, Washington, DC, USA
ilmumiskoht
Zürich
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2018
leheküljed
p. 862–865 : ill
seeria-sari
Materials science forum ; 924
konverentsi nimetus, aeg
ICSCRM 2017 : Silicon carbide and related materials 2017, September 17-22, 2017
konverentsi toimumispaik
Washington, DC, USA
leitav
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.862
märksõna
pooljuhtdioodid
dioodid
Schottky barjäär
Scopus
https://www.scopus.com/sourceid/28700
https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85049003410&origin=inward&txGid=94311121790529c18109c5d884a7af58
kvartiil
Q4
kategooria (üld)
Engineering
Tehnika
Materials science
Materjaliteadus
Physics and astronomy
Füüsika ja astronoomia
kategooria (alam)
Engineering. Mechanical engineering
Tehnika. Masinaehitus
Materials science. General materials science
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
Engineering. Mechanics of materials
Tehnika. Materjalide mehaanika
Physics and astronomy. Condensed matter physics
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
võtmesõna
diffusion welded stacks
SiC JBS diodes
symmetrical voltage doubler
vertical integration
ISSN
0255-5476
ISBN
978-3-0357-1145-5
märkused
Bibliogr.: 3 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor
Mõõteelektroonika uurimisrühm