Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine
autor
juhendaja
vastutusandmed
Muhammad Haroon Rashid ; [supervisor: Ants Koel, co-supervisor: Toomas Rang ; Tallinn University of Technology, School of Information Technologies, Thomas Johann Seebeck Department of Electronics]
dissertatsiooni liik
doktoritööd
ülikool/teadusasutus
Tallinna Tehnikaülikool
ilmumiskoht
Tallinn
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
175 p. : ill
seeria-sari
Tallinn University of Technology. Doctoral thesis = Tallinna Tehnikaülikool. Doktoritöö ; 6/2021
vormimärksõna
ISSN
2585-6898
ISBN
978-9949-83-658-1
märkused
Autori publikatsioonide nimekiri lk. 9-10
Bibliogr. lk. 61-72
Kättesaadav ka võrguteavikuna
Kokkuvõte eesti keeles
Autori CV inglise ja eesti keeles, lk. 174-175
Thesis (Ph.D.) : Tallinn University of Technology, 2021
leitav
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
Rashid, M.H. Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine. Tallinn : TalTech Press, 2021. 175 p. : ill. (Tallinn University of Technology. Doctoral thesis = Tallinna Tehnikaülikool. Doktoritöö ; 6/2021).