prindi

Characterisation of 1200 V reverse-blocking IGBTs for naturally commutated HF-link inverter

autor
Zinchenko, Denys
Korkh, Oleksandr
Blinov, Andrei
Waind, Peter
Vinnikov, Dmitri
vastutusandmed
Denys Zinchenko, Oleksandr Korkh, Andrei Blinov, Peter Waind, Dmitri Vinnikov
allikas
2019 IEEE 2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering : UKRCON-2019 : conference proceedings
ilmumiskoht
Dancers
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2019
leheküljed
p. 382-387 : ill
konverentsi nimetus, aeg
2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering, UKRCON-2019, July 2 – 6, 2019
konverentsi toimumispaik
Lviv, Ukraine
leitav
https://doi.org/10.1109/UKRCON.2019.8879900
märksõna
bipolaartransistorid
lülitus- ja kaitseseadised
elektrimuundurid
TTÜ märksõna
pehmelülitused
võtmesõna
insulated gate bipolar transistors
soft switching
DC-AC power converters
switching loss
semiconductor device manufacture
ISBN
978-1-7281-3882-4
978-1-7281-3883-1
märkused
Bibliogr.: 15 ref
TTÜ struktuuriüksus
elektroenergeetika ja mehhatroonika instituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Jõuelektroonika uurimisrühm
Zinchenko, D., Korkh, O., Blinov, A., Waind, P., Vinnikov, D. Characterisation of 1200 V reverse-blocking IGBTs for naturally commutated HF-link inverter // 2019 IEEE 2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering : UKRCON-2019 : conference proceedings. Dancers : IEEE, 2019. p. 382-387 : ill. https://doi.org/10.1109/UKRCON.2019.8879900