Investigation of deep level centers in i- and n-layers of GaAs pin-diodes
autor
Toompuu, Jana
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
Rang, Toomas
vastutusandmed
J. Toompuu, O. Korolkov, N. Sleptsuk, and T. Rang
allikas
BEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia
ilmumiskoht
Tallinn
kirjastus/väljaandja
Tallinn University of Technology
ilmumisaasta
2014
leheküljed
p. 25-28 : ill
konverentsi nimetus, aeg
2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference, October 6-8, 2014
konverentsi toimumispaik
Tallinn University of Technology
märksõna
pooljuhtdioodid
Schottky barjäär
galliumarseniid
spektroskoopia
võtmesõna
capacity relaxation method
deep levels
Gallium Arsenide
pin-diodes
ISSN
1736-3705
ISBN
978-9949-23-672-5
märkused
Bibliogr.: 8 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise