SIC schottky diode rectifier bridge represented as the diffusion-welded stack
autor
Korolkov, Oleg
Land, Raul
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
vastutusandmed
Korolkov, O., Land, R., Sleptšuk, N., Toompuu, J., Rang, T.
allikas
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : September 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece : [poster session]
ilmumiskoht
[S.l.]
ilmumisaasta
2016
leheküljed
p. 42
konverentsi nimetus, aeg
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM 2016, September 25-29, 2016
konverentsi toimumispaik
Halkidiki, Greece
märksõna
dioodid
pooljuhtdioodid
Schottky barjäär
ränikarbiid
tehnoloogia
keevitus
võtmesõna
silicon carbide (SiC)
Schottky diodes
welding
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise