The measurement and tuning of SiC diode voltage doubler represented as diffusion-welded stack [Online resource]
autor
Toompuu, Jana
Sleptšuk, Natalja
Land, Raul
Korolkov, Oleg
Rang, Toomas
vastutusandmed
Jana Toompuu, Natalja Sleptsuk, Raul Land, Oleg Korolkov, Toomas Rang
allikas
BEC 2018 : 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC) : proceedings of the 16th Biennial Baltic Electronics Conference, October 8-10, 2018
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2018
leheküljed
4 p.: ill
konverentsi nimetus, aeg
16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC), October 8-10, 2018
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Estonia
leitav
https://doi.org/10.1109/BEC.2018.8600963
märksõna
ränikarbiid
vertikaalne integratsioon
keevitus
võtmesõna
silicon carbide
vertical integration
silicon carbide JBS diodes
diffusion welding
vertical integration
ISSN
1736-3705
ISBN
978-1-5386-7313-3
märkused
Bibliogr.: 4 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor
Mõõteelektroonika uurimisrühm