Nanoscale and microscale simulations of N-N junction heterostructures of 3C-4H silicon carbide
autor
Rashid, Muhammad Haroon
Koel, Ants
Rang, Toomas
Gähwiler, Reto
Grosberg, Martin
Jõemaa, Rauno
vastutusandmed
Haroon Rashid, Ants Koel, Toomas Rang, Reto Gähwiler, Martin Grosberg & Rauno Jõemaa
allikas
Materials and contact characterisation VIII
ilmumiskoht
Southampton
kirjastus/väljaandja
WIT Press
ilmumisaasta
2017
leheküljed
p. 235-248 : ill
seeria-sari
WIT transactions on engineering sciences ; 116
konverentsi nimetus, aeg
8th International Conference on Computational Methods and Experiments in Materials Characterisation, 21-23 June, 2017
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Estonia
leitav
http://dx.doi.org/10.2495/MC170241
märksõna
pooljuhid
karbiidid
ränikarbiid
elektroonikaaparatuur
võtmesõna
heterostructures
silicon carbide
3C-SiC
4H-SiC
transmission spectrum
projected device density of states (PDDOS)
ISSN
1746-4471
ISBN
978-1-78466-197-7
märkused
Bibliogr.: 24 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise