Method of samples preparation intended for research of deep centers in i-, n-, and p-layers of GaAs p
+
-pin-n
+
structures and result of analysis
autor
Toompuu, Jana
Sleptšuk, Natalja
Korolkov, Oleg
Rang, Toomas
vastutusandmed
J. Toompuu, N. Sleptsuk, O. Korolkov, T. Rang
allikas
BEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia
ilmumiskoht
Tallinn
kirjastus/väljaandja
Tallinn University of Technology
ilmumisaasta
2016
leheküljed
p. 35-38 : ill
konverentsi nimetus, aeg
BEC 2016 : 15th Biennial Baltic Electronics Conference, October 3-5, 2016
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Tallinn University of Technology
leitav
http://www.ester.ee/record=b2150914*est
märksõna
pooljuhtdioodid
galliumarseniid
pooljuhtide tehnoloogia
võtmesõna
capacity relaxation method
deep levels
gallium arsenide
pin-diodes
ISBN
978-1-5090-1392-0
märkused
Bibliogr.: 6 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise