Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers

pealdis
Pūkienė, S., Karaliūnas, M., Jasinskas, A., Udal, A. et al.
autor
Pukiene, Simona
Jasinskas, A.
vastutusandmed
S Pūkienė, M Karaliūnas, A Jasinskas, E Dudutienė, B Čechavicius, J Devenson, R Butkutė, A Udal and G Valušis
allikas
kirjastus/väljaandja
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 30, 45
ilmumisaasta
leheküljed
art. 455001, 11 p. : ill
võtmesõna
GaAsBi
single
multiple
parabolic barriers
carrier localization
AlGaAs
ISSN
0957-4484
märkused
Bibliogr.: 44 ref
leidumus
ei leidu TTÜ Raamatukogus
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
1.1
kvartiil
Q2
TTÜ struktuuriüksus
TTÜ struktuurikood
it
maakood
gb
keel
inglise
aruandeväli
aasta2019i
toim. märkused
Ji 300920
Pūkienė, S., Karaliūnas, M., Jasinskas, A., Udal, A. et al. Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers // Nanotechnology (2019) vol. 30, 45, art. 455001, 11 p. : ill. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab36f3