prindi

Numerical simulations of wideband SiC N-N heterostructure diode

autor
Patankar, Udayan Sunil
Koel, Ants
Pardy, Tamas
vastutusandmed
Udayan S Patankar, Ants Koel, Tamás Pard
allikas
LAEDC 2020 : Latin American Electron Devices Conference, San José, Costa Rica, February 25-28, 2020
ilmumiskoht
Danvers
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2020
leheküljed
4 p
konverentsi nimetus, aeg
2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC), February 25-28, 2020
konverentsi toimumispaik
San Jose, Costa Rica
leitav
https://doi.org/10.1109/LAEDC49063.2020.9073489
märksõna
dioodid
ränikarbiid
pooljuhtseadised
jõuelektroonika
lairibaside
võtmesõna
silicon carbide (SiC)
wideband
narrow band
power electronics
diode
märkused
Bibliogr.: 30 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor
Patankar, U.S., Koel, A., Pardy, T. Numerical simulations of wideband SiC N-N heterostructure diode // LAEDC 2020 : Latin American Electron Devices Conference, San José, Costa Rica, February 25-28, 2020. Danvers : IEEE, 2020. 4 p. https://doi.org/10.1109/LAEDC49063.2020.9073489