Numerical simulations of wideband SiC N-N heterostructure diode

vastutusandmed
Udayan S Patankar, Ants Koel, Tamás Pard
ilmumiskoht
Danvers
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
4 p
konverentsi nimetus, aeg
2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC), February 25-28, 2020
konverentsi toimumispaik
San Jose, Costa Rica
märkused
Bibliogr.: 30 ref
keel
inglise
Patankar, U.S., Koel, A., Pardy, T. Numerical simulations of wideband SiC N-N heterostructure diode // LAEDC 2020 : Latin American Electron Devices Conference, San José, Costa Rica, February 25-28, 2020. Danvers : IEEE, 2020. 4 p.