prindi

Процессы роста и формирование морфологии и структуры толстых автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия при выращивании из раствора-расплава

autor
Meiler, Boriss
Zolotarevski, L.
Orenštein, I.
Paat, Aadu
vastutusandmed
Б. Мейлер, Л. Золотаревский, И. Оренштейн, А. Паат
allikas
Eesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics
kirjastus/väljaandja
Perioodika
ajakirja aastakäik number kuu
37. ak., 3
ilmumisaasta
1988
leheküljed
lk. 310-314 : ill
leitav
https://www.ester.ee/record=b1264310*est
märksõna
epitaksiaalkiled
kasv
struktuur
defektid
morfoloogia (bioloogia)
ISSN
0367-1429
märkused
Bibliogr.: 9 nim
Kokkuvõte: Paksude autoepitaksiaalsete GaAs-kilede kasv ning morfoloogia ja struktuuri moodustumine vedelepitaksia meetodil kasvatades, lk. 314
Summary: The growth, morphology and structure formation of thick GaAs films grown by liquid phase epitaxy, p. 314
TTÜ struktuuriüksus
füüsika kateeder
keel
vene
Мейлер, Б. Золотаревский, Л., Оренштейн, И., Паат, А. Процессы роста и формирование морфологии и структуры толстых автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия при выращивании из раствора-расплава // Eesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics (1988) 37. ak., 3, lk. 310-314 : ill. https://www.ester.ee/record=b1264310*est