Review of - SiC wide-bandgap heterostructure properties as an alternate semiconductor material
autor
Patankar, Udayan Sunil
Rajput Priti, J.
Koel, Ants
Nitnaware, V.N.
vastutusandmed
Rajput Priti J., Udayan S. Patankar, Ants Koel, and V.N. Nitnaware
allikas
International Conference on Inventive Research in Material Science and Technology, ICIRMCT 2018 : March 23-24, 2018
ilmumiskoht
[S.l.]
kirjastus/väljaandja
AIP Publishing
ilmumisaasta
2018
leheküljed
art. 020011
seeria-sari
AIP Conference Proceedings ; 1966, 1
konverentsi nimetus, aeg
International Conference on Inventive Research in Material Science and Technology : ICIRMCT 2018 : March 23-24, 2018
konverentsi toimumispaik
Coimbatore, India
leitav
https://doi.org/10.1063/1.5038690
märksõna
räni
pooljuhid
silikoonid
luminestsents
fotoluminestsents
Scopus
Conference proceedings at Scopus
Article at Scopus
WOS
Article at WOS
kvartiil
Q3
kategooria (üld)
Physics and astronomy
en
Füüsika ja astronoomia
et
kategooria (alam)
Physics and astronomy. General physics and astronomy
en
Füüsika ja astronoomia. Üldfüüsika ja astronoomia
et
ISSN
0094243X
ISBN
978-073541671-0
märkused
Bibliogr.: 24 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor