Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers

autor
Pukiene, Simona
Jasinskas, A.
vastutusandmed
S Pūkienė, M Karaliūnas, A Jasinskas, E Dudutienė, B Čechavicius, J Devenson, R Butkutė, A Udal and G Valušis
allikas
kirjastus/väljaandja
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 30, 45
ilmumisaasta
leheküljed
art. 455001, 11 p. : ill
märksõna
võtmesõna
GaAsBi
single
multiple
parabolic barriers
carrier localization
AlGaAs
ISSN
0957-4484
märkused
Bibliogr.: 44 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
1.1
kvartiil
Q2
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
Pūkienė, S., Karaliūnas, M., Jasinskas, A., Udal, A. et al. Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers // Nanotechnology (2019) vol. 30, 45, art. 455001, 11 p. : ill. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab36f3