A high-frequency small-geometry MOSFET modelKanunnikov, A.I.; Shilin, V.A.Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section A. Section M / Tallinn Technical University1992 / p. 29-33: ill

Accurate NBTI-induced gate delay modeling based on intensive SPICE simulationsKostin, Sergei; Raik, Jaan; Ubar, Raimund-Johannes; Jenihhin, MaksimMEDIAN Finale : Workshop on Manufacturable and Dependable Multicore Architectures at Nanoscale : November 10-11, 2015, Tallinn, Estonia2015 / p. 21-26 : ill

Analysis of switching properties of different high voltage IGBTs operating under hard-switching conditionsBlinov, Andrei; Jalakas, Tanel; Vinnikov, Dmitri; Laugis, JuhanBEC 2010 : 2010 12th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 12th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 4-6, 2010, Tallinn, Estonia2010 / p. 323-326 : ill

Complex simulation of punchthrough, tunneling and high-speed characteristics of scaled bipolar devices and circuitsBubennikov, Alexander N.; Ishevsky, D.V.Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 26-31: ill

Computation of MOS transistor channel currents using Gear methods in SPICECremascoli, Paolo; Gubian, Paolo; Zanella, MarinaAutomation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 59-68: ill

Determination of transistor low freqency noise parameters for SPICE programmeZeltinš, M.; Slaidinš, I.Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 127-131: ill

High-κ metal oxide thin film by chemical spray pyrolysis : from optimization of material properties to application in thin film transistor = Metallioksiidi õhukesed kiled keemilise pihustuspürolüüsi meetodil : materjali omaduste optimeerimine ja rakendamine õhukesekilelistes transistoridesOluwabi, Abayomi Titilope2020 https://digikogu.taltech.ee/et/Item/4b6d9afd-74d2-40ac-9c12-335d2f608474 https://www.ester.ee/record=b5362429*est

Impact of orientation on the bias of SRAM-based PUFsAbideen, Zain Ul; Wang, Rui; Perez, Tiago Diadami; Schrijen, Geert-Jan; Pagliarini, Samuel NascimentoIEEE design & test2023 / 1 p https://doi.org/10.1109/MDAT.2023.3322621

Inseneri ja tehnoloogia võidujooksust nanomeeterdistantsil, ehk, Tehnoloogia valitsemisest ja usaldamisest : akadeemiline ettekanne 10. novembril 2010 Eesti Teaduste AkadeemiasUbar, Raimund-JohannesTallinna Tehnikaülikooli aastaraamat 20102011 / lk. 249-260

Jaan Raik: kiibidisain aitaks saada Eestil jõukaks tehnoloogiamaaksMaidla, Margusnovaator.err.ee2023

Lihtne toiteallikasGerasimtšuk, ValeriSide. Raadio. Televisioon : infoseeria 101980 / lk. 14-16 https://www.ester.ee/record=b1232303*est

Mikroprotsessor Tehnikaülikoolist transistori 50. sünnipäevaksUbar, Raimund-JohannesHorisont1997 / 8, lk. 10-11: ill

New high-gain step-up DC/DC converter with high-frequency isolationVinnikov, Dmitri; Zakis, Janis; Husev, Oleksandr; Strzelecki, Ryszard2012 Twenty-Seventh Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Orlando (FL), USA, 5-9 Feb. 20122012 / p. 1204-1209 : ill https://ieeexplore.ieee.org/document/6165972

Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gateAbashkina, S.; Rimshans, J.; Korolkov, V.I.; Tabarov, T.Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 83-88: ill

Numerical scaling and speed-pover-optimization of polysilicon transistors & circuitsBubennikov, AlexanderAutomation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 41-46: ill

A simulation framework for 3-dimension networks-on-chip with different vertical channel density configurationsYing, Haoyuan; Jaiswal, Ashok; Abd El Ghany, Mohamed A; Hollstein, Thomas; Hofmann, KlausProceedings of the 2012 IEEE 15th International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS) : April 18-20, 2012 Tallinn, Estonia2012 / p. 83-88 : ill

Simulations of graphene nanoribbon field effect transistor for the detection of propane and butane gases : a first principles studyRashid, Muhammad Haroon; Koel, Ants; Rang, ToomasNanomaterials2020 / art. 98 https://doi.org/10.3390/nano10010098 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Journal metrics at WOS Article at WOS

Study of MOSFET post-fault operation in fault-tolerant DC-DC convertersBakeer, Abualkasim Ahmed Ali; Chub, Andrii; Vinnikov, Dmitri2022 IEEE 7th International Energy Conference (ENERGYCON)2022 / Code 181231, 5 p https://doi.org/10.1109/ENERGYCON53164.2022.9830216

Techniques for robust routing, communication and computation in multiprocessor systems = Robustse marsruutimise, side ja arvutuse tehnikad mitmeprotsessorilistes süsteemidesJanson, Karl2021 https://www.ester.ee/record=b5396084*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/c9091d5c-dcd8-4b21-95a7-84ead85241e6 https://doi.org/10.23658/taltech.3/2021

The investigation of distributed non-quasi-static high-current-density effects in advanced transistorsBubennikov, Alexander; Kargashin, A.Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 32-40: ill

A three-level voltage-source gate driver for SiC MOSFETs in synchronous rectification modeGiannakis, Andreas; Philipps, Daniel; Blinov, Andrei; Peftitsis, Dimosthenis2023 IEEE 17th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-POWERENG)2023 / 6 p https://doi.org/10.1109/CPE-POWERENG58103.2023.10227462

Transistoride sisendkarakteristikute konstrueerimineEiskop, IlmarSide. Raadio. Televisioon : infoseeria 101981 / lk. 14-19 : joon https://www.ester.ee/record=b1232303*est

Transistoril on juubelKrustok, JüriPostimees1997 / 14. dets., lk. 13

A tutorial on design obfuscation : from transistors to systemsPagliarini, Samuel Nascimento2021 IEEE 22nd Latin American Test Symposium (LATS), Punta del Este, Uruguay, 27-29 October 20212021 / 3 p. : ill https://doi.org/10.1109/LATS53581.2021.9651741

Uut tüüpi transistor toob murrangu mobiilsidesseKrustok, JüriPäevaleht1998 / 17. dets., Uus Meedia, lk. 6

Wide output voltage range isolated buck-boost PFC converter with reconfigurable rectifierVerbytskyi, Ievgen; Nadeem, Mohammad Mahad; Blinov, Andrei; Chub, Andrii; Vinnikov, Dmitri2023 IEEE 17th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-POWERENG)2023 / 7 p https://doi.org/10.1109/CPE-POWERENG58103.2023.10227389

Viies vaatus - tripoodide serenaad : väikesed ja kolme jalagaSinivee, VeljoHorisont2008 / 5, lk. 52-53 : ill https://artiklid.elnet.ee/record=b2041608*est

Анализ каскада широкополосного усилителя на полевом транзистореMartverk, Peep; Schults, EduardТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 81970 / с. 47-56 : илл https://www.ester.ee/record=b2189971*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/f65c4042-b55d-4b5b-b9b9-8a70cac2957d/

Вопросы определения области безопасной работы мощных транзисторовMännama, Vello; Järvalt, AldurТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 63-64 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

Высоковольтные транзисторные усилители мощностиErvin, V.; Plakk, PaulXX студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтийских республик, Белорусской ССР и Молдавской ССР : тезисы докладов. Часть 11974 / с. 118 https://www.ester.ee/record=b1306141*est

Высоковольтный тиристорно-транзисторный коммутаторKõverik, Kait; Rudski, V.A.; Togatov, V.Силовые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 232-235 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est

Датчики тока для импульсного измерения сверхмощных транзисторовMännama, Vello; Järvalt, AldurТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио. Секция "Проблемы измерительного приборостроения"1979 / с. 5 https://www.ester.ee/record=b1281116*est

Двумерная модель процесса выключена мощного высоковольтного транзистораRudski, V.A.; Kõverik, KaitПолупроводниковые приборы и преобразовательные устройства : проектирование, расчет, моделирование и контроль : межвузовский сборник научных трудов1986 / с. 16-24 : ил https://www.ester.ee/record=b2046865*est

Двумерное численное моделирование физических процессов в силовой транзисторный структуреKõverik, Kait; Udal, AndresЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов РЭА : тезисы докладов. Том 11987 / с. 135-138 : ил https://www.ester.ee/record=b1273986*est

Динамические свойства некоторых беконтактных релейных преобразователей на транзисторахPikkov, OttoСборник материалов к научно-техническому совещанию по полупроводниковым средствам автоматизации дизельных агрегатов : (созыв в г. Тарту 24 мая 1966 г.)1966 / с. [?] https://www.ester.ee/record=b1669765*est

Дрейф нуля транзисторных усилителей постоянного напряженияKipper, R.; Sillamaa, HannoXVI студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтики, Белорусской ССР и Калининградской области, посвященная 100-летию со дня рождения В. И. Ленина : 20-25 апреля 1970 г. : (тезисы докладов). Электротехника и энергетика1970 / с. 30 https://www.ester.ee/record=b1379483*est

Измерение временных параметров переключения мощных транзисторовPikkov, Otto; Järvalt, AldurТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 61-62 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

Измеритель параметров сверхмощных транзисторовPikkov, Otto; Plakk, Peeter; Järvalt, AldurТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио. Секция "Проблемы измерительного приборостроения"1979 / с. 3 https://www.ester.ee/record=b1281116*est

Импульсное измерение параметров сверхмощных транзисторовLaansoo, Ants; Männama, Vello; Pikkov, Otto; Järvalt, AldurСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 59-62 : илл https://www.ester.ee/record=b1264428*est

Использование отрицательного сопротивления для компенсации активных потерьKulikov, V.; Toomet, MadisXVI студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтики, Белорусской ССР и Калининградской области, посвященная 100-летию со дня рождения В. И. Ленина : 20-25 апреля 1970 г. : (тезисы докладов). Электротехника и энергетика1970 / с. 54 https://www.ester.ee/record=b1379483*est

Исследование динамических характеристик силовых высоковольтных транзисторовKõverik, Kait; Rudski, V.A.; Udal, AndresТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио, октябрь 1983. Секция "Силовые полупроводниковые приборы"1983 / с. 18-21 https://www.ester.ee/record=b1295312*est

Исследование некоторых вопросов определения области безотказной работы мощных транзисторовLaansoo, Ants; Männama, Vello; Pikkov, Otto; Järvalt, AldurСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 44-49 : илл https://www.ester.ee/record=b1264428*est

Исследование распределения интенсивности рекомбинационного излучения от режима работы мощного высоковольтного транзистораKõverik, Kait; Rumma, Kusta; Tammkivi, A.P.Методы и аппаратура исследования и измерения силовых полупроводниковых приборов : сборник статей1987 / с. 136-140 : ил https://www.ester.ee/record=b1264432*est

Исследование транзисторного мультивибратора с линейной характеристикой широтно-импульсного модулированияInjutin, S.; Seppel, SimmuXX студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтийских республик, Белорусской ССР и Молдавской ССР : тезисы докладов. Часть 11974 / с. 112 https://www.ester.ee/record=b1306141*est

Методика оценки параметров модели транзистора по частотным характеристикамKuimet, Neeme; Laksberg, Edgar; Tammet, Heinar; Ess, ViktorТезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Таллин, 19771977 / с. 85-86 https://www.ester.ee/record=b1313776*est

Моделирование теплофизических процессов в транзисторных структурахLaansoo, AntsПроблемы моделирования полупроводниковых структур и сложных схем на ЭВМ1982 / с. 59-66

Некоторые вопросы определения области безопасной работы мощных транзисторовMännama, Vello; Järvalt, AldurРасчет и проектирование приборов, устройств и систем технической кибернетики1981 / с. 27-32

О влиянии электронно-упрочного рассеяния на коэффициент передачи лико микроэлектронного биполярного транзистораVelmre, Enn; Udal, AndresМатематическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : тезисы докладов II всесоюзного совещания (г. Ярославль, сентябрь 1988 г.)1988 / с. 40

О применении мощных полевых транзисторов в преобразователях частоты с большим динамическим диапазономBorštševski, A.I.; Saarniit, V.; Šults, E.Всесоюзная научно-техническая конференция "Современные проблемы радиотехники в народном хозяйстве"1977 / с. 44

О применении мощных полевых транзисторов в преобразователях частоты с большим динаммическим диапазономBorštševski, A.I.; Saarniit, V.; Schults, EduardВсесоюзная научно-техническая конференция "Современные проблемы радиотехники в народном хозяйстве" Тезисы докладов радиотехническии секции1977 / с. 44

Определение проходной характеристики канального транзистораTammet, HeinarТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 61968 / с. 53-58 : илл https://www.ester.ee/record=b2182221*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/28a82977-89e1-4d6c-ae22-51bd6ba069c0

Параметры транзисторов в микрорежимеGurjanov, Boris; Käär, A.; Pikkov, Otto; Tergem, Ilmar; Järvalt, AldurТезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Таллин, 19771977 / с. 39-40 https://www.ester.ee/record=b1313776*est

Разность напряжений база-эмиттер дифференциальных пар биполярных транзисторовGurjanov, Boriss; Järvalt, AldurТруды по электротехнике и автоматике. 141976 / с. 45-48 : илл https://www.ester.ee/record=b2190768*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/aa35e320-87b1-405b-9cac-3b90c51867d1

Расчет распределения плотностей токов в мощном высоковольтном транзистореKõverik, Kait; Rudski, V.A.; ­Šilov, A.Силовые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 227-231 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est

Температурный дрейф дифференциального каскадаErlih, E.; Tamm, UljasXVI студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтики, Белорусской ССР и Калининградской области, посвященная 100-летию со дня рождения В. И. Ленина : 20-25 апреля 1970 г. : (тезисы докладов). Электротехника и энергетика1970 / с. 44 https://www.ester.ee/record=b1379483*est

Транзисторные схемы с дополнительной симметриейSillamaa, HannoТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 21964 / с. 57-67 : илл https://www.ester.ee/record=b2181978*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/b53fe7c7-f8c2-4d67-895d-b1823e09c84b

Транзисторный мультивибратор с линейной характеристикой широтно-импульсного модулирования, управляемый в цепях заряда конденсаторовInjutin, S.; Seppel, SimmuТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 121974 / с. 121-126 : илл https://www.ester.ee/record=b2190668*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/57b94a1f-6879-4443-b6f2-322fd7e53d89

Управляемый мультивибратор на двух транзисторах с линейной характеристикой широтноимпульсного модулированияSeppel, SimmuТехнические средства и системы автоматики : [сборник статей]1969 / с. 77-80 https://www.ester.ee/record=b2083958*est

Устройство для определения области безопасной работы мощных транзисторовMännama, Vello; Sooman, V.; Treit, J.; Ojamaa, M.; Järvalt, AldurТезисы докладов XXXI студенческой научно-технической конференции1980 / с. 51-52 https://www.ester.ee/record=b1319482*est

Устройство для определения области безопасной работы мощных транзисторовMännama, Vello; Järvalt, AldurТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио. Секция "Проблемы измерительного приборостроения"1979 / с. 6 https://www.ester.ee/record=b1281116*est

Формирование импульсов базового тока для измерения сверхмощных транзисторовLaansoo, Ants; Plakk, PaulТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио. Секция "Проблемы измерительного приборостроения"1979 / с. 4 https://www.ester.ee/record=b1281116*est