Analysis of deep level centers in GaAs pin-diode structuresKorolkov, Oleg; Toompuu, Jana; Rang, ToomasElektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering2013 / [4 p. ] : ill Analysis of deep level spectrum in GaAs p+-p-i-n-n+ structuresToompuu, Jana; Sleptšuk, Natalja; Korolkov, Oleg; Rang, ToomasMaterials characterization VII2015 / p. 283-294 : ill Characterization of deep level traps in semiconductor structures using numerical experimentsKoel, Ants; Rang, Toomas; Rang, GalinaMaterials characterization VII2015 / p. 253-261 : ill Characterization of Interfaces Between the Metal Film and Silicon Carbide Semiconductor = Metallkontakti ja ränikarbiidi vahelise liidespinna karakteriseerimineZiko, Mehadi Hasan2021 https://digikogu.taltech.ee/et/Item/34be534c-63e8-4013-b271-eaf1a7cb22e7 https://www.ester.ee/record=b5471196*est https://doi.org/10.23658/taltech.52/2021 Clamp mode package diffusion welded power SiC Schottky diodesKorolkov, Oleg; Kuznetsova, Natalja; Rang, ToomasBEC 2006 : 2006 International Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 2-4, 2006, Tallinn, Estonia : proceedings of the 10th Biennial Baltic Electronics Conference2006 / p. 55-58 : ill Comparative characteristics of diffusion-welded high-voltage stacks and connected in series Schottky diodesSleptšuk, Natalja; Korolkov, Oleg; Land, Raul; Toompuu, Jana; Annus, Paul; Rang, ToomasBEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia2016 / p. 39-42 : ill http://www.ester.ee/record=b2150914*est Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electronsLebedev, Alexander A.; Davidovskaja, Klavdia; Kozlovski, Vitali V.; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, JanaSilicon Carbide and Related Materials 2016 : selected, peer reviewed papers from the 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 (ECSCRM 2016), September 25-29, 2016, Halkidiki, Greece2017 / p. 447-450 : ill https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.447 Formation of Diffusion welded Al contacts to semiconductor silicon carbideKorolkov, Oleg2004 High performance GaAs power diodesVoitovitš, Viktor; Rang, Toomas; Rang, Galina; Pikkov, MihhailBEC 2008 : 2008 International Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 11th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology : October 6-8, 2008, Tallinn, Estonia2008 / p. 111-114 : ill High voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodesKorolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Annus, Paul; Land, Raul; Rang, ToomasICSRM 2015 : program guide2015 / p. 73 High-voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodesKorolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Annus, Paul; Land, Raul; Rang, ToomasSilicon carbide and related materials 2015 (ICSRM 2015) : selected, peer reviewed papers from the 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015, Giardini Naxos, Italy2016 / p. 790-794 : ill http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.790 Investigation of deep level centers in i- and n-layers of GaAs pin-diodesToompuu, Jana; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Rang, ToomasBEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia2014 / p. 25-28 : ill Investigation of electrical characteristics of SiC based complementary JBS structuresKurel, Raido2005 https://www.ester.ee/record=b2053292*est Investigation of the intermediate layer in the metal-silicon carbide contact obtained by diffusion welding = Difusioonkeevitusega valmistatud metalli ja ränikarbiidi vahelise üleminekuala vahekihi uurimineSleptšuk, Natalja2011 https://www.ester.ee/record=b2692547*est Large area 6H-SiC Schottky diodeRang, Toomas; Korolkov, Oleg; Pikkov, MihhailProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2000 / 2, p. 155-159 : ill https://artiklid.elnet.ee/record=b1004045*est Method of samples preparation intended for research of deep centers in i-, n-, and p-layers of GaAs p+-pin-n+ structures and result of analysisToompuu, Jana; Sleptšuk, Natalja; Korolkov, Oleg; Rang, ToomasBEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia2016 / p. 35-38 : ill http://www.ester.ee/record=b2150914*est Numerical analysis of forward-biased diode structures based on direct-gap semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, BorisElectronics letters : an international publication1979 / p. 383-385 https://www.ester.ee/record=b2180432*est Numerical analysis of the on state of diode structures based on direct-gap semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, Boris; Udal, AndresPhysica scripta : an international journal for experimental and theoretical physics1981 / p. 468-471 https://www.ester.ee/record=b2244094*est Numerical modeling of the electrothermal transient process in diode structures based on direct-cap-semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, BorisPhysica status solidi. A, Applied research1983 / p. K131-K134 https://www.ester.ee/record=b1562026*est Numerical study of current crowding phenomenon in complementary 4H-SiC JBS rectifiersRang, Toomas; Higelin, G.; Kurel, RaidoSilicon Carbide and Related Materials 20032004 / p. 1045-1048 https://www.scientific.net/MSF.457-460.1045 Power diode transicent characteristics modeling in inductive load circuitsFreidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresThe Bug Exterminator (USA)1991 / 3, p. 1-5: fig SiC JBS diode symmetrical voltage doubler represented as the diffusion-welded stackKorolkov, Oleg; Land, Raul; Toompuu, Jana; Sleptšuk, Natalja; Rang, ToomasSilicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 International Conference on Silicon Carbide and related materials, September 17-22, 2017, Washington, DC, USA2018 / p. 862–865 : ill https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.862 Conference Proceedings at Scopus Article at Scopus SIC schottky diode rectifier bridge represented as the diffusion-welded stackKorolkov, Oleg; Kozlovski, Vitali V.; Lebedev, Alexander A.; Land, Raul; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, Jana; Rang, ToomasSilicon Carbide and Related Materials 2016 : selected, peer reviewed papers from the 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 (ECSCRM 2016), September 25-29, 2016, Halkidiki, Greece2017 / p. 697-700 : ill https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.697 SIC schottky diode rectifier bridge represented as the diffusion-welded stackKorolkov, Oleg; Land, Raul; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, Jana; Rang, Toomas11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : September 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece : [poster session]2016 / p. 42 Static and dynamic behavior of the SiC complementary JBS structuresKurel, Raido; Rang, ToomasBEC 2006 : 2006 International Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 2-4, 2006, Tallinn, Estonia : proceedings of the 10th Biennial Baltic Electronics Conference2006 / p. 59-62 : ill Влияние распределения примеси на прямую ВАХ арсенидгаллиевых силовых диодных структурVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 32-37 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Высоковольтный диод серии В9Vaher, G.; Vergi, U.; Karuks, O.; Kuusik, E.; Krunks, O.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 5-12 https://www.ester.ee/record=b1273235*est Интегральное использование силового запираемого тиристора со встречно-параллельно включенным диодомPikkov, Mihhail; Saks, P.; Seleninov, KazimirТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 45 https://www.ester.ee/record=b1310801*est Исследование и разработка приборов интегрального исполнения системы тиристор-диодKrunks, O.; Seleninov, K.; Tarma, MatiСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 30-34 https://www.ester.ee/record=b1264428*est Исследование процесса переключения диодных структур низковольтных диодов с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Lumi, J.; Tarma, Mati; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 13-17 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Исследование прямой ВАХ мощных диодов с узкой базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Tarma, MatiПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 9-12 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Исследование прямой ветви вольтамперной характеристики эпитаксиальных и диффузионных электросварочных диодовVaher, G.; Velmre, Enn; Mäe, T.; Freidin, BorisСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 7-15 https://www.ester.ee/record=b1264428*est Моделирование на ЭЦВМ физических процессов в полупроводниковых диодах бомбардируемых электронным лучомSuškov, Aleksandr; Freidin, BorisАвтоматизированное проектирование в радиоэлектронике и приборостроении : сборник научных трудов1977 / с. 155-156 https://www.ester.ee/record=b2065276*est Неизотермическая динамическая прямая ветвь вольт-амперной характеристики силовых арсенид-галлиевых диодовAškinazi, German; Velmre, Enn; Logussov, A.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Eesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics1984 / с. 48-56 https://www.ester.ee/record=b1264310*est Низковольтные диоды на большие токи с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Karuks, O.; Mäe, T.; Tarma, M.; Tarma, MatiСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 23-29 https://www.ester.ee/record=b1264428*est Низковольтный диод для электросварки и гальваники с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 50-62 https://www.ester.ee/record=b1273235*est О влиянии оже-рекомбинации на прямую ветвь вольтамперной характеристики силового полупроводникого диодаVelmre, Enn; Dorodnev, V.Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 131975 / с. 85-91 : илл https://www.ester.ee/record=b2190710*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/ffbd63ed-06d6-4bbb-9468-118f743cc87f О возможности улучшения прямой ВАХ высоковольтного диодаVaher, G.; Krunks, O.; Kuusik, E.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 13-20 https://www.ester.ee/record=b1273235*est О целесообразности увеличения обратного напряжения силовых кремниевых диодовVaher, G.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 21-24 https://www.ester.ee/record=b1273235*est Определение характеристик силовых диодных структур методом фотохронографии рекомбинационного излученияKruusing, Arvi; Udal, Andres; Vaher, G.Силовые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей. Часть II1989 / с. 129-133 https://www.ester.ee/record=b1264433*est Приближенная теория для расчета характеристик обратного восстановления высоковольтных диффузионных диодов в индуктивных цепяхUdal, AndresСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 54-58 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est Разработка и освоение производства серии мощных тиристор-диодовSeleninov, Kazimir; Tarma, M.; Krunks, O.; Tarma, MatiСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 161-167 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est Сборник терминов по силовым диодам и тиристорам на английском, немецком и русском языках = Terms of power diodes and thyristors in English, German and Russian = Fachausdrücke für Leistungsdioden und -Thyristoren in englisch, deutsch und russisch1979 https://www.ester.ee/record=b1267518*est Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InPVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 30-31 https://www.ester.ee/record=b1310801*est Усовершенствование технологии и конструкции диодов Д143-2000 с применением диффузионной сваркиVaher, G.; Karuks, O.; Kruus, J.; Surženkov, G.; Tarma, M.; Tarma, MatiТехнология силовых полупроводниковых приборов : сборник статей1987 / с. 134-138 : ил., табл https://www.ester.ee/record=b1353933*est Численное моделирование неизотермических переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1984 / с. 86-88 https://www.ester.ee/record=b2768571*est Численное моделирование переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1983 / с. 93-95 https://www.ester.ee/record=b2768571*est Численное моделирование процессов включения и выключения диодной структуры на основе прямозонного полупроводникаVelmre, Enn; Freidin, BorisСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей1984 / с. 90-94 https://www.ester.ee/record=b1238033*est Численное моделирование статических неизотермических процессов в кремниевых силовых диодных и тиристорных структурах в открытом состоянииVelmre, Enn; Udal, Andres; Freidin, BorisВсесоюзный научно-технический семинар "Повышение параметров силовых полупроводниковых приборов на основе новых конструктивных решений и методов изготовления" (Запорожье, 1981)1981 / с.37-38 Численное моделирование физических процессов в одномерных кремниевых диодных структурах в стационарном режимеVelmre, Enn; Freidin, Boris; Udal, AndresАлгоритмы и программы : информационный бюллетень1980 / с.? Численный анализ неизотермических переходных процессов в арсенидгаллиевых диодных структурахAškinazi, German; Velmre, Enn; Kivi, U.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Полупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 15 https://www.ester.ee/record=b1304403*est Численный анализ переходных процессов в диодных структурах на основе прямозонных полупроводниковVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 26 https://www.ester.ee/record=b1304403*est