Au/Ga2O3/ZnO heterostructure nanorods arrays for effective photoelectrochemical water splittingAbdalla, Akram; Khan, Ibrahim; Sohail, Manzar; Qurash, AnsanulhaqSolar energy2019 / p. 333-338 : ill https://doi.org/10.1016/j.solener.2019.01.065 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Journal metrics at WOS Article at WOS

Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimineRashid, Muhammad Haroon2021 https://www.ester.ee/record=b5397240*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/a64fd50e-125c-49ad-b0a6-6ad2e01b8bfa https://doi.org/10.23658/taltech.6/2021

Charge selective contact on ultra-thin In(OH)xSy/Pb(OH)xSy heterostructure prepared by SILARGavrilov, S.; Oja Acik, Ilona; Lim, B.Physica status solidi (a)2006 / 5, p. 1024-1029 : ill https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssa.200521468

Comparison of methods for solving the Schrödinger equation for multiquantum well heterostructure applicationsUdal, Andres; Reeder, Reeno; Velmre, Enn; Harrison, PaulProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2006 / 3-2, p. 246-261 : ill

Comparison of the dynamic behaviour of complementary 6H- and 4H-SiC Schottky structures using numerical simulationRang, Toomas; Kurel, RaidoProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2004 / 3, p. 173-178

Development and optimisation of modelling methods and algorithms for terahertz range radiation sources based on quantum well heterostructures = Kvantaukudega heterostruktuuridel põhinevate terahertskiirgurite modelleerimismeetodite ja -algoritmide arendus ja optimeerimineReeder, Reeno2014 https://www.ester.ee/record=b3084247*est

Effects of the inclusion of armchair graphene nanoribbons on the electrical conduction properties of NN-heterojunction 4H-6H/SiC diodesRashid, Muhammad Haroon; Koel, Ants; Rang, ToomasAdvanced Materials and Processing Technologies : 2nd International Conference on Sensors, Materials and Manufacturing (ICSMM 2018, November 19-21, 2018, Taiwan); International Conference on Materials Sciences and Nanomaterials (ICMSN 2018, July 11-13, 2018, United Kingdom) and the 2nd International Conference on Materials and Intelligent Manufacturing (ICMIM 2018, August 24-26, 2018, Japan)2019 / p. 29–35 : ill https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.962.29 Conference proceeding at Scopus Article at Scopus

Elektrokeemilised CuInS2/polüpürrool fotovolt struktuuridBereznev, Sergei; Konovalov, Igor; Kois, Julia; Mellikov, Enn; Öpik, AndresXXVIII Eesti keemiapäevad : teaduskonverentsi ettekannete teesid = 28th Estonian Chemistry Days : abstracts of scientific conference2002 / lk. 19

Numerical analysis of forward-biased diode structures based on direct-gap semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, BorisElectronics letters : an international publication1979 / p. 383-385 https://www.ester.ee/record=b2180432*est

Numerical analysis of the influence of deep energy level traps in SiC Schottky structuresKoel, Ants; Rang, Toomas; Rang, GalinaHigh performance structure and materials. VI2012 / p. 439-448 : ill

Numerical analysis of the on state of diode structures based on direct-gap semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, Boris; Udal, AndresPhysica scripta : an international journal for experimental and theoretical physics1981 / p. 468-471 https://www.ester.ee/record=b2244094*est

Numerical modeling of the electrothermal transient process in diode structures based on direct-cap-semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, BorisPhysica status solidi. A, Applied research1983 / p. K131-K134 https://www.ester.ee/record=b1562026*est

Numerical simulation of a forward-based p-i-n structure with band-to-band Auger recombinationFreidin, Boris; Velmre, EnnElectronics letters : an international publication1978 / p. 701-703 https://www.ester.ee/record=b2180432*est

Pooljuhtstruktuuride tööpõhimõtted. Struktuuride realisatsioonid kristallis : abimaterjal ainele "Mikroelektroonika"2003 http://www.ester.ee/record=b1782563*est

Principles of semiconductor structures. Realisation of structures in crystals : supplementary lecture material in the subject "Microelectronics"Rang, Toomas2003 http://www.ester.ee/record=b1782565*est

Simulations of heterostructures based on 3C-4H and 6H-4H silicon carbide polytypesRashid, Muhammad Haroon; Koel, Ants; Rang, ToomasSilicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 International Conference on Silicon Carbide and related materials, September 17-22, 2017, Washington, DC, USA2018 / p. 302-305 : ill https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.302 Conference Proceedings at Scopus Article at Scopus

Влияние распределения примеси на прямую ВАХ арсенидгаллиевых силовых диодных структурVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 32-37 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Изучение ошибок модели управления технологического процесса создания силовых полупроводниковых структурSaks, EvaТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 71-72 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

Исследование эффективности численных алгоритмов моделирования проводящего состояния силовых полупроводниковых структурFreidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 34-35 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

Исследование эффективности численных алгоритмов моделирования силовых полупроводниковых структур в проводящем состоянииVelmre, Enn; Udal, Andres; Freidin, BorisЭлектронное моделирование = Electronic modeling : международный научно-теоретический журнал1981 / c. 85-88 https://www.ester.ee/record=b1291241*est

К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходахVaher, G.; Velmre, EnnПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 89-96 https://www.ester.ee/record=b1273235*est

Компенсационное управление операцией ꙋ- облученияBachverk, Aleksander; Saks, EvaАвтоматизация технологических процессов на базе применения управляющей вычислительной техники : [тезисы докладов научно-технического семинара1984 / с. 49-52 https://www.ester.ee/record=b1289375*est

Методы исследования исходных полупроводниковых материалов и эпитаксиальных структурMere, Arvo; Paat, Aadu; Rusalep, Ervin; Uder, Ülo-OlimarПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 21978 / с. 173-180 https://www.ester.ee/record=b1273255*est

Определение характеристик силовых диодных структур методом фотохронографии рекомбинационного излученияKruusing, Arvi; Udal, Andres; Vaher, G.Силовые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей. Часть II1989 / с. 129-133 https://www.ester.ee/record=b1264433*est

Поверхностная фото-ЭДС в полупроводниках и в полупроводниковых структурах : автореферат ... кандидата физико-математических наук (01.04.07)Seilenthal, Mats1982 https://www.ester.ee/record=b1279678*est

Повышение эффективности численных алгоритмов моделирования силовых полупроводниковых структур в проводящем состоянииRubinštein, M.; Freidin, BorisXXV студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтийских республик, Белорусской ССР и Молдавской ССР, 21-23 апреля 1981 года : тезисы докладов. Том 2, Автоматика. Энергетика. Механика. Химия1981 / с. 18-19 https://www.ester.ee/record=b1322629*est

Применение анодного окисления при исследовании электрофизических характеристик полупроводниковых структур "кремний на изоляторе"Gavrilov, AlekseiTallinna Tehnikaülikooli Toimetised1990 / lk. 53-59: ill

Проблемы оптимизации аксиального профиля времени жизни носителей заряда в структуре быстродействующего тиристораSurma, A.; Udal, Andres; Assina, SvetlanaСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей. Часть II1989 / с. 18-21 : ил https://www.ester.ee/record=b1264433*est

Программа "Динамит-1" для одномерного численного моделирования тиристорных структурVelmre, Enn; Udal, AndresСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 59-63 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est

Расчет коэффициентов лавинного размножения в резких кремниевых р-п переходахVaher, G.; Velmre, EnnТезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Таллин, 19771977 / с. 49 https://www.ester.ee/record=b1313776*est

Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InPVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 30-31 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

Численное моделирование напряженности электрического поля и напряжения пробоя в полупроводниковой структуре с двойной фаскойVelmre, Enn; Kuusik, E.; Tergem, IlmarСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 50-58 https://www.ester.ee/record=b1264428*est

Численное моделирование неизотермических переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1984 / с. 86-88 https://www.ester.ee/record=b2768571*est

Численное моделирование процесса выключения одномерных кремниевых тиристорных структурVelmre, Enn; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 74-79 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Численное моделирование процессов включения и выключения диодной структуры на основе прямозонного полупроводникаVelmre, Enn; Freidin, BorisСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей1984 / с. 90-94 https://www.ester.ee/record=b1238033*est

Численное моделирование физических процессов в одномерных кремниевых диодных структурах в стационарном режимеVelmre, Enn; Freidin, Boris; Udal, AndresАлгоритмы и программы : информационный бюллетень1980 / с.?

Численное моделирование физических процессов в прямосмещенных структурах на основе прямозонных полупроводниковVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 25-31 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Численное моделирование электротепловых процессов в силовых полупроводниковых приборах с учетом электронно-дырочного рассеянияVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Seleninov, Kazimir; Freidin, BorisСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей. Часть II1989 / с. 185-188 https://www.ester.ee/record=b1264433*est

Численный анализ неизотермических переходных процессов в арсенидгаллиевых диодных структурахAškinazi, German; Velmre, Enn; Kivi, U.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Полупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 15 https://www.ester.ee/record=b1304403*est

Численный анализ одномерных полупроводниковых структур в стационарном режимеVelmre, Enn; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной дню радио и деятельности Эстонской организации НТОРЭС им. А. С. Попова за годы 1958-19781978 / с.? https://www.ester.ee/record=b1314631*est

Численный анализ переходных процессов в диодных структурах на основе прямозонных полупроводниковVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 26 https://www.ester.ee/record=b1304403*est

Экспериментальное исследование тиристорной структурыBachverk, AleksanderТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 73-74 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

Электротехника и автоматикаTamm, Uljas; Udal, Andres; Rang, Toomas; Freidin, Boris; Velmre, Enn; Nurste, Ivar; Laansoo, Ants; Männama, Vello; Järvalt, Aldur; Gurjanov, Boris; Pikkov, Otto; Rebane, Jüri; Aarna, Olav; Teder, Toomas1982 https://www.ester.ee/record=b1339926*est

Эффективный алгоритм для одномерного численного моделирования полупроводниковых структурUdal, AndresЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов РЭА : тезисы докладов. Том 11987 / с. 146-149 https://www.ester.ee/record=b1273986*est