Complex simulation of punchthrough, tunneling and high-speed characteristics of scaled bipolar devices and circuits
author
Bubennikov, Alexander N.
Ishevsky, D.V.
statement of authorship
A.N.Bubennikov, D.V.Ishevsky
source
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : Tallinn, Estonia, October 7-11, 1991. Section S, Simulation = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents / Tallinna Tehnikaülikool
location of publication
Tallinn
publisher
Tallinna Tehnikaülikool
year of publication
1992
pages
p. 26-31: ill
conference name, date
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : Tallinn, Estonia, October 7-11, 1991 = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents
conference location
Tallinn
url
https://www.ester.ee/record=b1064031*est
subject term
transistorid
skaleerimine
simulaatorid
simulatsioon
notes
Bibl.: 6 ref
Kokkuvõte: Skaleeritud bipolaarseadiste ja -lülituste läbitorke, tunnel- ja kiiretoimelisuse karakteristikute kompleksne simuleerimine
language
inglise