Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSb

statement of authorship
А. А. Гаврилов, Ю. В. Данилов, Г. А. Качурин, А. Л. Мере
journal volume number month
2 (137)
year of publication
pages
с. 108-112
notes
Библиогр. 6 назв.
TTÜ department
language
vene
Гаврилов, А., Данилов, Ю., Качурин, Г., Мере, А. Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSb // Электронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник (1980) 2 (137), с. 108-112. https://www.ester.ee/record=b2160501*est