Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии
author
Rang, Toomas
Velmre, Enn
statement of authorship
Т. Ранг, Э. Велмре
source
Анализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП
location of publication
Таллин
publisher
Таллинский политехнический институт
year of publication
1977
pages
с. 115-120 : илл
series
Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 432
Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей ; 15
series variant title
TPI Toimetised ; 432
Труды ТПИ ; 432
url
https://www.ester.ee/record=b2190987*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/b7c66054-0b4f-4684-9453-442bc7e6e200
subject term
pooljuhtide tehnoloogia
räni
lisandid
temperatuur
elektronjuhtivus
TTÜ subject term
Tallinna Tehnikaülikooli toimetised
notes
Библиогр. : 12 назв
Summary: Electron and hole mobility in silicon related to the doping concentration and temperature
scientific publication
teaduspublikatsioon
classifier
3.2
TTÜ department
elektroonika kateeder
language
vene